10A 800V N Kanal Geliştirme Modu Power MOSFET F10N80 TO-220F

10A 800V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur. TO-220F, her üç terminalden de dış soğutucu olarak 2000V rms olarak derecelendirilen yalıtım voltajı sağlar. TO-220F serisi UL standartlarına uymaktadır (Dosya Ref: E252906). 

2 Özellik 

● Hızlı anahtarlama 

● ESD Geliştirilmiş özellik

● Direnç düşük (RDSON≤0.9Ω) 

● Düşük kapı şarjı (tip: 65NC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 25pf) 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi