hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U is hier: Tuiste » Produkte » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 10A 800V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET F10N80 TO-220F

laai

Deel aan:
Facebook -deelknoppie
Twitter -delingknoppie
Lyndeling -knoppie
WeChat Sharing -knoppie
LinkedIn Sharing -knoppie
Pinterest Sharing -knoppie
whatsapp -delingknoppie
Sharethis Sharing -knoppie

10A 800V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET F10N80 TO-220F

Hierdie N-kanaalverbeterde VDMOSFET's word verkry deur die selfbelynde vlak-tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, die skakelprestasie verbeter en die lawine-energie verbeter. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard
beskikbaarheid:
hoeveelheid:

10A 800V N-kanaalverbeteringsmodus MOSFET


1 Beskrywing

Hierdie N-kanaalverbeterde VDMOSFET's word verkry deur die selfbelynde vlak-tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, die skakelprestasie verbeter en die lawine-energie verbeter. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard. TO-220F bied isolasingspanning met 2000V RMS van al drie klemme tot eksterne koelkas. TO-220F-reeks voldoen aan UL-standaarde (File Ref: E252906). 


2 funksies 

● Vinnige oorskakeling 

● ESD verbeterde vermoë

● Lae weerstand (Rdson≤0,9Ω) 

● Lae heklading (tik: 65nc) 

● Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tik: 25pf) 

● 100% enkelpuls Avalanche energietoets 

● 100% Δvds -toets 


3 Aansoeke 

● Word gebruik in verskillende kragskakelingskringbaan vir stelsel -miniatuur en hoër doeltreffendheid. 

● Kragskakelaarstroombaan van elektronballas en adapter


VDS's  RDS (ON) (Tip) Id 
800V 0.72 Ω 10a



Vorige: 
Volgende: 
  • Teken in vir ons nuusbrief
  • Maak gereed vir die toekomstige
    aanmelding vir ons nuusbrief om opdaterings direk na u inkassie te kry