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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 59A 100V 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Spécification de l'appareil 60N10B76 (1).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 85a, 150V, DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Spécifications de l'appareil DHS110N15D.pdf
MOSFET de puissance F5N80 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 5A 800V F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 180A 80V DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80V 180A Spécification de l'appareil DH029N08.pdf
-10A -40V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10A Appareil+DH170P04V+Spécifications.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 150A, 150V, DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 120A 60V DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120A Appareil+DH065N06+Spécification+Rev.2.0.pdf
Diode de récupération rapide 60A 300V MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT TO-247 300V 60A Voir la version MUR6030BCT du document REV.1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 10A 650V DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Spécification de l'appareil DCD10D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Spécifications de l'appareil DCGT08D65G4.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 100A 68V DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Spécifications de l'appareil DH3205A.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
MOSFET de puissance F4N60 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 4A 600V F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 180 A 68 V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
Diode de récupération rapide 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A Le modèle MUR6020BCA est Rev. 1.1.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 170A, 100V, DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Module IGBT demi-pont 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 40V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Spécification de l'appareil DH045N04.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N, 4,8 a, 650V, DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

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