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Module IGBT demi-pont 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Appareil+DTG050P06LA+Spécification+Rev.1.0.pdf
Diode de récupération rapide 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A Description du produit MUR80FU20NCA.pdf
MOSFET de puissance F8N65 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 8A 650V F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 100V, DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Appareil+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Spécification+Rev.1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+fiche technique+Rev.1.0.pdf
Module demi-pont 150A 1200V, module IGBT DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
Module demi-pont 150A 1200V, module IGBT DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A _fiche technique.pdf
Diode barrière SiC Schottky 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal P 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Spécifications de l'appareil DH100P30AD.pdf
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MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A Fichier F13N50技术规格书R1.1.pdf
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