未命名(1)(8) (1)
grille
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vous êtes ici : Maison » Produits
Modèle:
Emballer:
V :
UN:
LIGNES DE PRODUITS SÉLECTIONNÉES :

Tous les produits

Image Modèle Package V A Fiche technique Détails Demande Ajouter au panier
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 150V DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Appareil DHS110N15 Spécification Rev.1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 1200V DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Spécifications de l'appareil DCC20D120G4.pdf
120 V/12 mΩ/70 A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M TO-247-3L 650V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
Paquet payant 135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 DSU035N14N3 SONNER 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Diode de récupération rapide 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200V 40A Le modèle MUR4020NCT-XCB est disponible en version Rev. 1.0.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée 25A 1200V G25T120D TO-247 G25T120D TO-247 1200V 25A DHG25T120D英文技术规格书(TO-247).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 47A 100V TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Spécifications de l'appareil DHS180N10L.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 12A 650V 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7818 TO-220M L7818 TO-220M 18V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 68 A 1 200 V DCC040M120A2/DCCF040M120A2
Diode SchottkyBarrier 20A 100V MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100V 20A Fichier MBR20100CT.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 21 A 100 V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 40V DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Spécification de l'appareil DH045N04.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 20A 500V F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A Fichier F20N50技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650V 13A Spécification de l'appareil DHSJ13N65.pdf
Module demi-pont 75A 650V, module IGBT DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diode de récupération rapide 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60A Fichier MUR6020NCT pour REV1.0.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 21A 650V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf

Vidéo du produit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Inscrivez-vous à notre newsletter
  • préparez-vous pour l'avenir,
    inscrivez-vous à notre newsletter pour recevoir des mises à jour directement dans votre boîte de réception
    Soumettre
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie par leadong.com