未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
100A 650V MODUL MODILE IGBT Modul DGA100H65M2T 34MM DGA100H65M2T 34 mm 650V 100a DGA100H65M2T.PDF
600A 650V MODUL HALF BRIDGE IGBTModule DGD600H65M2T ECONODUAL3 BALÍČ DGD600H65M2T Econodual3 650V 600a DGD600H65M2T Rev1.0.pdf
18A 650V Izolovaná brána Bipolární tranzistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18a Specifikace zařízení DHG20T65D (TO-220F) .pdf
100A 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100a Dh066n06d_datasheet_v2.0.pdf
18A 100V P-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100v 18a Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
150a 1200V MODUL HALF BRIDGE DGB150H120L2T 62MM DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150a DGB150H120L2T (1) .pdf
250a 1200V Half Bridge Modul IGBTModule DGB250H120L2T 62MM DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250a DGB250H120L2T-REV1.1.PDF
20A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 20N50B TO-247 20n50b TO-247 500V 20a Specifikace 20N50 (1) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145a Zařízení DH045N06 Specifikace.pdf
50A 1200V PIM v modulu IGBT One Package DGC50C120M2T ECONO PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50a DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
450A 1200V MODUL HALF BRIDGE IGBTModule DGD450H120L2T BALENÍ ECONODUAL3 DGD450H120L2T Econodual3 1200V 450a DGD450H120L2TREV1.1.PDF
150A 1200V MODUL MODILU MODULE IGBT IGBT MODUL DGA150H120M2T 34MM DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150a DGA150H120M2T (1) .pdf
60A 200V Rychlá zotavení dioda mur6020bca to-247s Mur6020bca To-247s 200V 60a 英文版 Mur6020bca 技术规格书 Rev. 1.1.pdf
14a 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 14N65 TO-220C 14n65 TO-220C 650V 14a 英文版 14N65 技术规格书 AY3 (1) .pdf
18A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18n50d To-3pn 500V 18a 英文版 18N50D 技术规格书 .pdf
40a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30v 40a Dhd80n03_datasheet_v3.0.pdf
90a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100v 50a Zařízení DH045N04 Specifikace.pdf
Regulátor tří terminálního napětí IC L7812 TO-220M L7812 TO-220M 12V 8ma 英文版 L78xx 技术规格书 .pdf
-100V/33MΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35a Dh100p30d_datasheet_v1.0+.pdf
140a 40V N-kanálový vylepšení režim Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5X6-8L 40V 140a Zařízení DHP035N04 Specifikace.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com