未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
90A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Specifikace zařízení DHS110N15 Rev.1.0.pdf
20A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Specifikace zařízení DCC20D120G4.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
75A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M TO-247-3L 650V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Mýtný balíček DSU035N14N3 MÝTNÉ 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
40A 200V Dioda rychlého obnovení MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200V 40A 英文版MUR4020NCT-XCB技术规格书Rev. 1.0.pdf
25A 1200V s izolovanou bránou bipolární tranzistor G25T120D TO-247 G25T120D TO-247 1200V 25A DHG25T120D英文技术规格书（TO-247).pdf
47A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Specifikace zařízení DHS180N10L.pdf
12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
Třísvorkový regulátor napětí IC L7818 TO-220M L7818 TO-220M 18V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Třísvorkový regulátor napětí IC L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
68A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
Výkonový MOSFET 21A 100V N-channel Enhancement Mode DHS400N10LD / DHS400N10LB / DHS400N10L
90A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Specifikace zařízení DH045N04.pdf
20A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
13A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650V 13A Specifikace zařízení DHSJ13N65.pdf
75A 650V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Rychlá obnovovací dioda 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com