未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 30V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Specifikace zařízení DH012N03.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Specifikace zařízení DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Specifikace zařízení DH012N03.pdf
-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Specifikace zařízení DH300P06.pdf
35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Zařízení+DSD270N12N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf
105A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Datový list+V2.0 .pdf
310A 20V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Specifikace zařízení DH009N02.pdf
60A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Specifikace zařízení DH081N03.pdf
4A 650V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGD600H65M2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Specifikace zařízení DH081N03R.pdf
16A 600V Dioda rychlé obnovy MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
41A 650V N-channel SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Specifikace zařízení 50N06B34.pdf
400A 650V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGD400H65M2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGD450H120L2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
Výkonový MOSFET 320A 20V N-channel Mode Enhancement DH009N02U
10A 400V Rychlá obnovovací dioda MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
205A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Specifikace zařízení DHS025N88.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com