brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
20A 650V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
33A 60V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Specifikace zařízení DH240N06L Rev.2.0.pdf
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Specifikace zařízení DH100P30AD.pdf
30A 200V Dioda rychlého obnovení MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
 Rychlá obnovovací dioda 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
90A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Specifikace zařízení DHD80N08.pdf
18A 100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
60A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60A _datasheet-12.26.pdf
17A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17A Specifikace zařízení DHSJ17N65.pdf
60A 300V Dioda rychlého obnovení MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
80A 1200V Dioda rychlého obnovení MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Zařízení+DTG050P06LA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
180A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Zařízení+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
80A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Specifikace zařízení DH072N07.pdf
180A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
60A 650V s izolovanou bránou bipolární tranzistor G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650V 60A Specifikace zařízení DHG60T65D(TO-3PN)Rev1.2.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
300A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS010N04U MÝTNÍ BALENÍ DHS010N04U MÝTNÉ 40V 300A DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A Zařízení DH80N08 B22 Specifikace.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky