未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
-30A -60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30A Zariadenie DH300P06 Špecifikácia.pdf
35A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Zariadenie+DSD270N12N3+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
310A 20V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Zariadenie DH009N02 Špecifikácia.pdf
60A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Zariadenie DH081N03 Špecifikácia.pdf
4A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGD600H65M2T EconoDUAL3 BALENIE DGD600H65M2T EconoDUAL3 650 V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Zariadenie DH081N03R Špecifikácia.pdf
16A 600V Dióda rýchlej obnovy MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220 mil 600 V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
41A 650V N-channel SIC napájací MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41A DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Zariadenie 50N06B34 Špecifikácia.pdf
400A 650V modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGD400H65M2T EconoDUAL3 BALENIE DGD400H65M2T EconoDUAL3 650 V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGD450H120L2T EconoDUAL3 BALENIE DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
320A 20V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH009N02U
10A 400V Dióda rýchlej obnovy MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400 V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
205A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Špecifikácia zariadenia DHS025N88.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com