πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα
Μοντέλο:
Πακέτο:
V:
ΕΝΑ:
ΕΠΙΛΕΓΜΕΝΕΣ ΓΡΑΜΜΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ:

Όλα τα Προϊόντα

Image Model Package V A φύλλου δεδομένων Στοιχεία Ερώτηση Προσθήκη στο καλάθι
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320Α Προδιαγραφές συσκευής DH012N03.pdf
 Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180Α Προδιαγραφές συσκευής DHS020N04D.pdf
320A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 ΕΩΣ-220C 30V 320Α Προδιαγραφές συσκευής DH012N03.pdf
-30A -60V Λειτουργία βελτίωσης καναλιού P Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30Α Προδιαγραφές συσκευής DH300P06.pdf
35A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 120 V Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35Α Συσκευή+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf
105A 68V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ΤΟ-263 68V 105Α Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
310A 20V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 ΕΩΣ-220C 20V 310Α Προδιαγραφές συσκευής DH009N02.pdf
60A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60Α Προδιαγραφές συσκευής DH081N03.pdf
4A 650V Λειτουργία βελτίωσης N-καναλιών Power MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V Μονάδα μισής γέφυρας IGBTMmodule DGD600H65M2T EconoDUAL3 PACKAGE DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600Α DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30Α Προδιαγραφές συσκευής DH081N03R.pdf
16A 600V δίοδος γρήγορης ανάκτησης MUR1660CT TO-220M MUR1660CT ΕΩΣ 220 Μ 600V 16Α 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
41A 650V N-κανάλι SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41Α DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60Α Device 50N06B34 Specification.pdf
Μονάδα μισής γέφυρας 400A 650V IGBTMmodule DGD400H65M2T EconoDUAL3 PACKAGE DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400Α DGD400H65M2T REV1.0.pdf
Μονάδα μισής γέφυρας 450A 1200V IGBTMmodule DGD450H120L2T EconoDUAL3 PACKAGE DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450Α DGD450H120L2TREV1.1.pdf
320A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH009N02U
10A 400V δίοδος γρήγορης ανάκτησης MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400V 10Α 英文版MUR1040技术规格书.pdf
205A 85V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E ΤΟ-263 85V 205Α Προδιαγραφές συσκευής DHS025N88.pdf

Βίντεο προϊόντος

  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας