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MOSFET DATD063N06N TO-252B del poder del modo del aumento del canal N de 80A 60V DATD063N06N TO-252B 60V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Especificación Rev.1.0.pdf
Módulo de medio puente 50A 650V módulo IGBT DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N de 11A 650V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 A-220C 650V 11A Dispositivo DHSJ11N65Especificación(S).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 25A 100V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Especificación del dispositivo DH100P25.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 60V DH066N06 TO-220C DH066N06 A-220C 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 18A 100V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Especificación.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 31A y 600 V DJC099N60F/DJF099N60F
Módulo medio puente 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
Módulo de medio puente 250A 1200V IGBTMódulo DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCE10D65G4 A-263 650V 10A Especificación del dispositivo DCE10D65G4.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 A-220C 60V 145A Especificación del dispositivo DH045N06.pdf
50A 1200V PIM en módulo IGBT de un solo paquete DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50A DGndo de la electrónica de potencia moderna, la eficiencia, el control y la confiabilidad son fundamentales. Desde vehículos eléctricos hasta automatización industrial, desde sistemas de energía renovabla ergía renovable hasta electrodomésticos, la gestión eficiente de la energía define el éxito de los sistemas electrónicos.
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 60 A y 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 12 A y 700 V DJF360N70
MOSFET de potencia D25N10 TO-252B del modo de mejora del canal N de 25A 100V D25N10 TO-252B 100V 25A Especificación del dispositivo 25N10.pdf
Rectificador controlado por silicio serie 600V /800V 12A BT151 TO-220M BT151 A-220M 600V/800V 12A 英文版BT151-Rev. 1.2技术规格书 BT151(252).pdf
Serie TRIAC 600V/800V 8A BT137-600E TO-220M BT137-600E A-220M 600V/800V 8A 英文版BT137-600E技术规格书触发H.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 40V DHS021N04D TO-252B DHS021N04D TO-252B 40V 120A Donghai+DHS021N04D+Hoja de datos+V3.0.pdf
Serie TRIAC 600V/800V 4A BT136-600E TO-220M BT136-600E A-220M 600V/800V 4A 英文版BT136技术规格书REV1.2.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC DHD7806 TO-220M DHD7806 A-220M 6V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

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