Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
Диод с барьером Шоттки 10А, 45 В MBRF1045CT TO-220F МБРФ1045CT ТО-220Ф 45В 10А Серия 英文版MBR1045CT技术规格书.pdf
110 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS055N85 TO-220C ДХС055Н85 ТО-220С 85В 110А Спецификация устройства DHS055N85.pdf
100 В/2 мОм/281 А N-MOSFET TOLL ДСУ023Н10Н3 ПОТЕРИ 100В 281А Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
10А 700В Диод быстрого восстановления MUR1070 TO-220-2L MUR1070 ТО-220-2Л 700В 10А 英文版MUR1070技术规格书.pdf
40А 600В Диод быстрого восстановления MUR40FU60DCT TO-3PN МУР40ФУ60ДКТ ТО-3ПН 600В 40А 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
10 А, 700 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F10N70 TO-220F Ф10Н70 ТО-220Ф 700В 10А 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
Диод с барьером Шоттки 20 А, 200 В MBRF20200CT TO-220F МБРФ20200CT ТО-220Ф 200В 20А 英文版MBRF20200CT 技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V LOW VF Диод Шоттки с барьером MBR30R45CTS TO-220C МБР30Р45CTS ТО-220С 45В 30А Серия 英文版MBR30R45CTS技术规格书.pdf
180 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS020N88 TO-220C ДХС020Н88 ТО-220С 85В 180А Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 100 А, 30 В DHD100N03 TO-252B ДХД100Н03 ТО-252Б 30 В 100А Спецификация устройства DH100N03 B13.pdf
60А 650В биполярный транзистор с изолированным затвором G60T65D TO-3PN ДХГ60Т65Д ТО-3ПН 650В 60А Спецификация устройства DHG60T65D(TO-3PN)Rev1.2.pdf
7А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 7N65 TO-220C 7Н65 ТО-220С 650В 7А 英文版7N65技术规格书.pdf
15А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 15N65 TO-220C 15Н65 ТО-220С 650В 15А
60A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 ДХ60Н06 ТО-220С 60В 60А Спецификация устройства DH60N06+.pdf
12 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH1K1N10D TO-252B ДХ1К1Н10Д ТО-252Б 100В 12А Спецификация устройства DH1K1N10.pdf
80 А, 75 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D7509 TO-220C Д7509 ТО-220С 75В 80А Спецификация устройства D7509.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 180 А, 80 В DH8004 TO-220C ДХ8004 ТО-220С 80В 180А Спецификация устройства DH8004 (2).pdf
60А 650В Тренчстоп биполярный транзистор с изолированными воротами ДГК60Ф65М ТО-247 ДГК60Ф65М ТО-247 650В 60А DGC60F65M__datasheet-12.26.pdf
180 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS025N06E TO-263 DHS025N06E ТО-263 60В 180А Донхай_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
Диод Шоттки с барьером Шоттки, 10 А, 45 В MBR1045CT TO-252 МБР1045CT ТО-252Б 45В 10А Серия 英文版MBR1045CT技术规格书.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com