Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03D TO-252B ДХ012Н03Д ТО-252Б 30 В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 180 А, 40 В DHS020N04D TO-252B DHS020N04D ТО-252Б 40В 180А Спецификация устройства DHS020N04D.pdf
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03 TO-220C ДХ012N03 ТО-220С 30 В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
-30A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH300P06D TO-252B ДХ300П06Д ТО-252Б -60В -30А Спецификация устройства DH300P06.pdf
35А, 120 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSD270N12N3 TO-252B ДСД270Н12Н3 ТО-252Б 120 В 35А Устройство+DSD270N12N3+Спецификация+Ред.1.0.pdf
105A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ТО-263 68В 105А Дунхай+DHS055N07&DHS055N07E+Технические данные+V2.0 .pdf
310 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02 TO-220C ДХ009N02 ТО-220С 20 В 310А Спецификация устройства DH009N02.pdf
60А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03D TO-252B DH081N03D ТО-252Б 30 В 60А Спецификация устройства DH081N03.pdf
4А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D4N65 TO-252B Д4Н65 ТО-252Б 650В 4А 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
Полумостовой модуль 600 А, 650 В IGBTModule DGD600H65M2T EconoDUAL3 ПАКЕТ ДГД600Х65М2Т ЭконоDUAL3 650В 600А ДГД600Х65М2Т РЕД1.0.pdf
30 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03R DFN3*3-8 ДХ081Н03Р ДФН3*3-8 30 В 30А Спецификация устройства DH081N03R.pdf
16А 600В Диод быстрого восстановления MUR1660CT TO-220M MUR1660CT ТО-220М 600В 16А 英文版MUR1660CT и MURF1660CT 技术规格书.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор DCCF060M65G2 TO-247, 41 А, 650 В, SIC DCCF060M65G2 ТО-247-4Л 650В 41А DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60А, 68В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DHF50N06 TO-220F ДХФ50Н06 ТО-220Ф 68В 60А Спецификация устройства 50Н06Б34.pdf
Полумостовой модуль 400 А, 650 В IGBTModule DGD400H65M2T EconoDUAL3 ПАКЕТ ДГД400Х65М2Т ЭконоDUAL3 650В 400А ДГД400Х65М2Т РЕД1.0.pdf
Полумостовой модуль 450 А, 1200 В IGBTModule DGD450H120L2T EconoDUAL3 ПАКЕТ ДГД450Х120Л2Т ЭконоDUAL3 1200В 450А DGD450H120L2TREV1.1.pdf
320 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02U
10А 400В Диод быстрого восстановления MUR1040 TO-220-2L MUR1040 ТО-220-2Л 400В 10А 英文版MUR1040技术规格书.pdf
205A 85V N-канальный режим расширения MOSFET DHS025N88 TO-263 ДХС025Н88Е ТО-263 85В 205А Спецификация устройства DHS025N88.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com