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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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10A 45V Schottky-Diode MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45V 10A Weitere Informationen zur MBR1045CT-Serie finden Sie hier.pdf
110 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Gerätespezifikation DHS055N85.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET TOLL DSU023N10N3 MAUT 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
10A 700V Fast-Recovery-Diode MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
40A 600V Fast-Recovery-Diode MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600V 40A 英文版MUR40FU60DCT术规格书.pdf
10 A 700 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700V 10A 英文版F10N70术规格书REV1.0.pdf
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBRF20200CT术规格书REV1.1.pdf
30A 45V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45V 30A Weitere Informationen zur MBR30R45CTS-Serie finden Sie hier.pdf
180 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 100 A 30 V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Gerät DH100N03 B13 Specification.pdf
60A 650V Bipolartransistor mit isoliertem Gate G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650V 60A Gerätespezifikation DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
7A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
15A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650V 15A
60 A 68 V N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60V 60A Gerät DH60N06 Spezifikation+.pdf
12 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Gerätespezifikation DH1K1N10.pdf
80 A 75 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Geräte-D7509-Spezifikation.pdf
N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 80 V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Gerätespezifikation DH8004 (2).pdf
60 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60A DGC60F65M__datasheet-12.26.pdf
180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
10A 45V SchottkyBarrierDiode MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45V 10A Weitere Informationen zur MBR1045CT-Serie finden Sie hier.pdf

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