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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Gerätespezifikation DH012N03.pdf
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 40 V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Gerätespezifikation DHS020N04D.pdf
320 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Gerätespezifikation DH012N03.pdf
-30A -60V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Gerätespezifikation DH300P06.pdf
35 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Gerät+DSD270N12N3+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
105 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Datenblatt+V2.0 .pdf
310 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Gerätespezifikation DH009N02.pdf
60 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Gerätespezifikation DH081N03.pdf
4A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65术规格书REV1.0.pdf
600A 650V Halbbrückenmodul IGBTModule DGD600H65M2T EconoDUAL3 PAKET DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Gerätespezifikation DH081N03R.pdf
16A 600V Fast-Recovery-Diode MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
41 A 650 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Gerätespezifikation 50N06B34.pdf
400A 650V Halbbrückenmodul IGBTModule DGD400H65M2T EconoDUAL3 PAKET DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Halbbrückenmodul IGBTModule DGD450H120L2T EconoDUAL3 PAKET DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
320 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH009N02U
10A 400V Fast-Recovery-Diode MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040术规格书.pdf
205 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Gerätespezifikation DHS025N88.pdf

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