未命名(1)(8) (1)
portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos
Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

Todos os produtos

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
Diodo de barreira Schottky 10A 45V MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
110A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Especificação do dispositivo DHS055N85.pdf
PEDÁGIO N-MOSFET 100V/2mΩ/281A DSU023N10N3 PEDÁGIO 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 10A 700V MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Diodo de recuperação rápida 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600 V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
10A 700V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200 V 20A 英文版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V BAIXO VF SchottkyBarrierDiode MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45V 30A 英文版MBR30R45CTS series技术规格书.pdf
180A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 PARA-252B 30V 100A Especificação do dispositivo DH100N03 B13.pdf
60A 650V transistor bipolar de porta isolada G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650 V 60A Especificação do dispositivo DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
7A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
15A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Especificação do dispositivo DH60N06+.pdf
12A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D PARA-252B 100V 12A Especificação do dispositivo DH1K1N10.pdf
80A 75V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Especificação do dispositivo D7509.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Especificação do dispositivo DH8004 (2).pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247 DGC60F65M PARA-247 650 V 60A DGC60F65M__datasheet-12.26.pdf
180A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E PARA-263 60 V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
10A 45V SchottkyBarrierDiode MBR1045CT TO-252 MBR1045CT PARA-252B 45V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf

Vídeo do produto

  • Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada
    Enviar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnologia por leadong. com