未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
80A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A Laite+DATD063N06N+Specification Rev.1.0.pdf
50A 650V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
11A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 -220C 650V 11A Laite DHSJ11N65Specification(S).pdf
25A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Laite DH100P25 Specification.pdf
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 -220C 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100 V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
31A 600V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJC099N60F/DJF099N60F
150A 1200V puolisiltamoduuli DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V puolisiltamoduuli IGBTMmoduli DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
SiC Schottky Barrier Diodi 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Laitteen DCE10D65G4 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 -220C 60V 145A Laite DH045N06 Specification.pdf
50A 1200V PIM yhdessä paketissa IGBT-moduuli DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
60A 20V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH048N02B/DH048N02D
12A 700V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJF360N70
25 A 100 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100V 25A Laite 25N10 Specification.pdf
Silicon Controlled Tasasuuntaaja sarja 600V / 800V 12A BT151 TO-220M BT151 TO-220M 600V/800V 12A 英文版BT151-Rev. 1.2技术规格书 BT151(252).pdf
TRIAC-sarja 600V/800V 8A BT137-600E TO-220M BT137-600E TO-220M 600V/800V 8A 英文版BT137-600E技术规格书触发H.pdf
120A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS021N04D TO-252B DHS021N04D TO-252B 40V 120A Donghai+DHS021N04D+DataSheet+V3.0.pdf
TRIAC-sarja 600V/800V 4A BT136-600E TO-220M BT136-600E TO-220M 600V/800V 4A 英文版BT136技术规格书REV1.2.pdf
Kolminapainen jännitesäädin IC DHD7806 TO-220M DHD7806 TO-220M 6V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com