未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Laitteen DHS020N04D Specification.pdf
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 -220C 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Laite DH300P06 Specification.pdf
35 A 120 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Laite+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf
105A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
310A 20V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 -220C 20V 310A Laite DH009N02 Specification.pdf
60A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Laite DH081N03 Specification.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V puolisiltamoduuli IGBTMmodule DGD600H65M2T EconoDUAL3 PAKETTI DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Laitteen DH081N03R Specification.pdf
16A 600V pikapalautusdiodi MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
41A 650V N-kanavainen SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Laite 50N06B34 Specification.pdf
400A 650V puolisiltamoduuli IGBTMmodule DGD400H65M2T EconoDUAL3 PAKETTI DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V puolisiltamoduuli IGBTMmodule DGD450H120L2T EconoDUAL3 PAKETTI DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
320A 20V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH009N02U
10A 400V pikapalautusdiodi MUR1040 TO-220-2L MUR 1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
205A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Laite DHS025N88 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com