saatavuus: | |
---|---|
Määrä: | |
MUR80G40NCT
WXDH
MUR80G40NCT
TO-3PN
400 V
80a
80A 400 V nopea palautus diodi
1 Kuvaus
80A, 400 V: n ultrasiodiodit Tuotteet valmistetaan GPP -prosessilla, että heillä on alhainen eteenpäin. Nämä laitteet on tarkoitettu käytettäväksi energianohjaus-/kiinnitys diodeina ja RECTI FIFI ERS: ssä monissa kytkentävirtalähteissä ja muissa virrankytkentäsovelluksissa.
2 ominaisuutta
Pienen eteenpäin suuntautuvan jännitteen pudotus
Lasi passiivinen suulakirakenne
Matala vuotovirta
Korkea luotettavuus
Korkea eteenpäin suuntautuva virtavirtakyky
3 sovellusta
Virtalähteen vaihtaminen
Virranvaihtopiirit
Inverterin virtalähde
4 Asenna
Suositetuntorven arvo (to-247): 0,8 nm
Suositetuntorven arvo (TO-3PN/3P): 0,8 nm
Vääntömomentin enimmäisarvo (247): 1,2 nm
Vääntömomentin enimmäisarvo (TO-3PN/3P): 1,1 nm
Vbr | VF (yksi) (max) | If (av) (yksi) |
400 V | 1,6 V | 40a |
80A 400 V nopea palautus diodi
1 Kuvaus
80A, 400 V: n ultrasiodiodit Tuotteet valmistetaan GPP -prosessilla, että heillä on alhainen eteenpäin. Nämä laitteet on tarkoitettu käytettäväksi energianohjaus-/kiinnitys diodeina ja RECTI FIFI ERS: ssä monissa kytkentävirtalähteissä ja muissa virrankytkentäsovelluksissa.
2 ominaisuutta
Pienen eteenpäin suuntautuvan jännitteen pudotus
Lasi passiivinen suulakirakenne
Matala vuotovirta
Korkea luotettavuus
Korkea eteenpäin suuntautuva virtavirtakyky
3 sovellusta
Virtalähteen vaihtaminen
Virranvaihtopiirit
Inverterin virtalähde
4 Asenna
Suositetuntorven arvo (to-247): 0,8 nm
Suositetuntorven arvo (TO-3PN/3P): 0,8 nm
Vääntömomentin enimmäisarvo (247): 1,2 nm
Vääntömomentin enimmäisarvo (TO-3PN/3P): 1,1 nm
Vbr | VF (yksi) (max) | If (av) (yksi) |
400 V | 1,6 V | 40a |