Disponibilitate: | |
---|---|
cantitate: | |
MUR80G40NCT
Wxdh
MUR80G40NCT
La-3pn
400V
80A
80A 400V Diodă de recuperare rapidă
1 Descriere
80A, 400V Diode ultrarapast Produsele sunt realizate prin procesul GPP, au un avans scăzut. Aceste dispozitive sunt destinate utilizării ca diode de direcție/prindere a energiei și rectitori și rectitori într -o varietate de surse de alimentare de comutare și alte aplicații de comutare a puterii.
2 caracteristici
cădere de tensiune redusă înainte
Construcție de matriță pasivată din sticlă
Curent de scurgere scăzut
Fiabilitate ridicată
Capacitatea de curent de creștere ridicată înainte
3 aplicații
Sursa de alimentare de comutare
Circuite de comutare a puterii
Sursa de alimentare a invertorului
4 Instalați
Valoare recomandată (To-247): 0,8 nm
Valoare recomandată (To-3pn/3p): 0,8 nm
Valoarea cuplului maxim (To-247): 1,2 nm
Valoarea maximă a cuplului (TO-3PN/3P): 1,1 nm
Vbr | Vf (single) (max) | If (av) (single) |
400V | 1.6V | 40a |
80A 400V Diodă de recuperare rapidă
1 Descriere
80A, 400V Diode ultrarapast Produsele sunt realizate prin procesul GPP, au un avans scăzut. Aceste dispozitive sunt destinate utilizării ca diode de direcție/prindere a energiei și rectitori și rectitori într -o varietate de surse de alimentare de comutare și alte aplicații de comutare a puterii.
2 caracteristici
cădere de tensiune redusă înainte
Construcție de matriță pasivată din sticlă
Curent de scurgere scăzut
Fiabilitate ridicată
Capacitatea de curent de creștere ridicată înainte
3 aplicații
Sursa de alimentare de comutare
Circuite de comutare a puterii
Sursa de alimentare a invertorului
4 Instalați
Valoare recomandată (To-247): 0,8 nm
Valoare recomandată (To-3pn/3p): 0,8 nm
Valoarea cuplului maxim (To-247): 1,2 nm
Valoarea maximă a cuplului (TO-3PN/3P): 1,1 nm
Vbr | Vf (single) (max) | If (av) (single) |
400V | 1.6V | 40a |