未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

Kaikki tuotteet

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
100A 650 V: n puolisilta moduuli IGBT -moduuli DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650 V 100a DGA100H65M2T.PDF
600A 650 V Half Bridge -moduuli IGBTMODULE DGD600H65M2T ECONODUAL3 PAKKAUS DGD600H65M2T Econodual3 650 V 600a DGD600H65M2T Rev1.0.pdf
18A 650 V eristetty portti kaksisuuntainen transistori DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18a Laite DHG20T65D -määritys (TO-220F) .pdf
100A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100a Dh066n06d_datasheet_v2.0.pdf
18A 100V P-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18a Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
150A 1200 V Half Bridge -moduuli DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200 V 150a DGB150H120L2T (1) .pdf
250A 1200 V Half Bridge -moduuli IGBTMODULE DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200 V 250a DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
20A 500 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 20N50B TO-247 20n50b To-247 500 V 20a Laite 20n50 -määritys (1) .pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145a Laite DH045N06 Specification.pdf
50A 1200 V PIM One-pakkauksessa IGBT-moduuli DGC50C120M2T ECONO PIM2 DGC50C120M2T ECONO PIM2 1200 V 50a DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
450A 1200 V Half Bridge -moduuli IGBTMODULE DGD450H120L2T ECONODUAL3 PAKKAUS DGD450H120L2T Econodual3 1200 V 450a DGD450H120L2TREV1.1.PDF
150A 1200 V Half Bridge -moduuli IGBT -moduuli DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200 V 150a DGA150H120M2T (1) .pdf
60A 200 V Fast Recovery Diode MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247s 200 V 60a 英文版 MUR6020BCA 技术规格书 Rev. 1.1.pdf
14A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 14N65 TO-220C 14n65 TO-220C 650 V 14a 英文版 14N65 技术规格书 AY3 (1) .pdf
18A 500 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18n50d TO-3PN 500 V 18a 英文版 18n50d 技术规格书 .pdf
40A 30V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40a DHD80N03_DataSheet_v3.0.pdf
90A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50a Laite DH045N04 Specification.pdf
Kolmen terminaalinen jännitesäädin IC L7812 TO-220m L7812 TO-220m 12 V 8Ma 英文版 l78xx 技术规格书 .pdf
-100V/33MΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35a Dh100p30d_datasheet_v1.0+.pdf
140A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 Dfn5x6-8l 40 V 140a Laite DHP035N04 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com