75A 650V pysähdyseristetty kaksinapainen transistori DGC75F65M TO-247-3L

75A 650V Trenchstop-eristetty kaksinapainen transistori

1 Kuvaus DongHain patentoitua Trench-suunnittelua ja edistyksellistä FS-tekniikkaa käyttävä 650 V FS IGBT tarjoaa erinomaisen kytkentäsuorituskyvyn, korkean lumivyörykestävyyden ja helpon rinnakkaiskäytön. 

2 Ominaisuudet 

● FS Trench Technology, positiivinen lämpötilakerroin 

● Matala kyllästysjännite: VCE (sat), tyyppi = 1,7 V @ IC = 75 A ja Tj = 25 °C 

● Erittäin parannettu lumivyörykyky 

3 Sovellukset 

● Hitsaus 

● UPS 

● Kolmitasoinen invertteri

VCE	Vcesat, Tj = 25 ℃	Ic	Tjmax	Paketti
650V	1,7V	75A	175℃	TO-247-3L