75A 650 V: n trenchstop-eristetty portti kaksisuuntainen transistori DGC75F65M TO-247-3L

75A 650 V: n trenchstop -eristetty portti kaksisuuntainen transistori

1 Kuvaus käyttämällä Donghain omaa kaivannonsuunnittelua ja etukäteen FS -tekniikkaa, 650 V: n FS IGBT tarjoaa parempia ja kytkentäesityksiä, korkeaa lumivyöryn kestävyyttä Helppo rinnakkainen toiminta 

2 ominaisuutta 

● FS -kaivantotekniikka, positiivinen lämpötilakerroin 

● Matala kylläisyysjännite: VCE (la), typ = 1,7 V @ ic = 75a ja tj = 25 ° C 

● Erittäin parannettu lumivyörykyky 

3 sovellusta 

● hitsaus 

● UPS 

● Kolmen tason invertteri