75A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar DGC75F65M TO-247-3L

75A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar

1 ລາຍລະອຽດການນໍາໃຊ້ການອອກແບບ Trench ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ DongHai ແລະກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເທກໂນໂລຍີ FS, 650V FS IGBT ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຫນືອກວ່າແລະສະຫຼັບ, ຫິມະຫິມະສູງ ruggedness ການດໍາເນີນງານຂະຫນານງ່າຍ. 

2 ຄຸນສົມບັດ 

● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ 

● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 1.7V @ IC = 75A ແລະ Tj = 25°C 

● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

● ການເຊື່ອມໂລຫະ 

● UPS 

● Inverter ສາມລະດັບ

VCE	Vcesat,Tj=25℃	ໄອຄ	Tjmax	ຊຸດ
650V	1.7V	75A	175 ℃	TO-247-3L