hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten » IGBT » 600V-650V » » 75A 650V Trenchstop Geïsoleerde poort bipolaire transistor DGC75F65M TO-247-3L

laden

Delen op:
Facebook -knop delen
Twitter -knop delen
Lijnuitdeling knop
Wechat delen knop
LinkedIn Sharing -knop
Pinterest delen knop
whatsapp delen knop
Sharethis delen knop

75a 650V Trenchstop Geïsoleerde poort bipolaire transistor DGC75F65M TO-247-3L

Met behulp van Donghai's gepatenteerde trenchontwerp en Advance FS -technologie, biedt de 650V FS IGBT superieure en schakelprestaties, hoge lawine robuustheid eenvoudige parallelle werking
Beschikbaarheid:
hoeveelheid:

75A 650V Trenchstop Geïsoleerde poort bipolaire transistor


1 Beschrijving met behulp van Donghai's eigen trenchontwerp en Advance FS -technologie, de 650V FS IGBT biedt superieure en schakelprestaties, hoge lawine robuuste gemakkelijke parallelle werking 


2 functies 

● FS Trench -technologie, positieve temperatuurcoëfficiënt 

● Lage verzadigingsspanning: VCE (SAT), TYP = 1.7V @ IC = 75A en TJ = 25 ° C 

● Extreem verbeterde lawine -mogelijkheden 


3 toepassingen 

● Lassen 

● UPS 

● Drie-niveau omvormer


VCE VCESAT, TJ = 25 ℃ IC Tjmax Pakket
650V 1.7V 75a  175 ℃ TO-247-3L


Vorig: 
Volgende: 
  • Meld u aan voor onze nieuwsbrief
  • Maak je klaar voor de toekomstige
    aanmelding voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks naar je inbox te krijgen