Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Igbt » 600 V-650V » » 75a 650V Trenchstop Izolované brána Bipolárny tranzistor DGC75F65M TO-247-3L

Zdieľať na:

75A 650V Trenchstop Izolované brána Bipolárny tranzistor DGC75F65M TO-247-3L

Pomocou proprietárneho dizajnu výkopu Donghai a technológiou FS Advance FS ponúka IGBT 650V FS vynikajúce a prepínanie výkonov, vysoká lavínová drsnosť ľahkej paralelnej operácie

Dostupnosť:

Množstvo:



Pýtať sa Pridať do koša

Model:
DGC75F65M
Značka:
Wxdh
Balík:
TO-247-3L
DataShet:
DGC75F65M_DATASEEet-rev1.1 (2) .pdf
V:
650V
A:
75a

75A 650V Trenchstop Izolovaný bipolárny tranzistor

1 Opis, ktorý využíva proprietárny dizajn výkopu Donghai a technológiu Advance FS Technológia, IGBT 650V FS ponúka vynikajúce a prepínanie výkonov, vysoká lavínová drsnosť ľahkej paralelnej operácie

2 funkcie

● Technológia výkopu FS, pozitívny koeficient teploty

● Nízke nasýtenie napätie: VCE (SAT), TYP = 1,7V @ IC = 75A a TJ = 25 ° C

● Mimoriadne vylepšená lavínová schopnosť

3 aplikácie

● Zváranie

● UPS

● Menič s tromi úrovňami

Vce	Vcesat, tj = 25 ℃	IC	Tjmax	Balík
650V	1,7 V	75a	175 ℃	TO-247-3L

Predchádzajúce:

Ďalej:

Igbt

Prihláste sa do nášho bulletinu
Pripravte sa na budúcnosť
Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty

Odovzdať

Naše výrobky
- Mosfet
- Dióda
- Igbt
- IGBT modul
- Sic
- Regulátor napätia IC
O Leletor
Viac odkazov
Kontaktujte nás

E -mail:

sales@wxdh.com. Cn

Pevná linka:

+86-510-85307789
Sociálne siete