Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 75A 650V
1 Descripción Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la tecnología FS avanzada, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo.
2 características
● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo
● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,7 V @ IC = 75 A y Tj = 25 °C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
3 aplicaciones
● Soldadura
● SAI
● Inversor de tres niveles
| VCE |
Vcesat,Tj=25℃ |
ic |
Tjmax |
Paquete |
| 650V |
1,7 V |
75A |
175℃ |
TO-247-3L |