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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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Transistor bipolar DGC75F65M TO-247-3L de puerta aislada Trenchstop de 75A 650V

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo
Disponibilidad:
Cantidad:

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 75A 650V


1 Descripción Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la tecnología FS avanzada, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo. 


2 características 

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,7 V @ IC = 75 A y Tj = 25 °C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 


3 aplicaciones 

● Soldadura 

● SAI 

● Inversor de tres niveles


VCE Vcesat,Tj=25℃ ic Tjmax Paquete
650V 1,7 V 75A  175℃ TO-247-3L


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