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Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L

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Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche, un fonctionnement parallèle facile

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Modèle:
DGC75F65M
Marque:
WXDH
Emballer:
TO-247-3L
Fiche de données:
DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
V :
650V
UN:
75A

Transistor bipolaire à porte isolée Trenchstop 75A 650V

1 Description Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche et un fonctionnement parallèle facile.

2 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,7V @ IC =75A et Tj = 25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

● Soudage

● UPS

● Onduleur à trois niveaux

VCE	Vcesat,Tj=25℃	IC	Tjmax	Emballer
650V	1,7 V	75A	175 ℃	TO-247-3L

IGBT

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