ច្រកទ្វារ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
អ្នកនៅទីនេះ៖ ផ្ទះ » ផលិតផល » IGBT » 600V-650V » 75A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC75F65M TO-247-3L

ការផ្ទុក

ចែករំលែកទៅ៖
ប៊ូតុងចែករំលែក facebook
ប៊ូតុងចែករំលែក twitter
ប៊ូតុងចែករំលែកបន្ទាត់
ប៊ូតុងចែករំលែក wechat
linkedin ប៊ូតុងចែករំលែក
ប៊ូតុងចែករំលែក pinterest
ប៊ូតុងចែករំលែក whatsapp
ចែករំលែកប៊ូតុងចែករំលែកនេះ។

75A 650V Trenchstop Insulated Gate ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ Bipolar DGC75F65M TO-247-3L

ដោយប្រើការរចនា Trench ដែលមានកម្មសិទ្ធិរបស់ DongHai និងបច្ចេកវិទ្យា FS ជឿនលឿន 650V FS IGBT ផ្តល់នូវដំណើរការល្អជាង និងការផ្លាស់ប្តូរ ភាពធន់នឹងទឹកកកខ្ពស់ ដំណើរការស្របគ្នាងាយស្រួល
ភាពអាចរកបាន៖
បរិមាណ៖
  • DGC75F65M

  • WXDH

  • TO-247-3L

  • DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf

  • 650V

  • 75A

75A 650V Trenchstop Insulated Gate ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ Bipolar


1 ការពិពណ៌នា ដោយប្រើការរចនា Trench ដែលមានកម្មសិទ្ធិរបស់ DongHai និងបច្ចេកវិទ្យា FS ជឿនលឿន 650V FS IGBT ផ្តល់នូវដំណើរការល្អជាង និងផ្លាស់ប្តូរ ភាពធន់នឹងទឹកកកខ្ពស់ ប្រតិបត្តិការស្របគ្នាងាយស្រួល។ 


2 លក្ខណៈពិសេស 

● បច្ចេកវិទ្យា FS Trench មេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន 

● តង់ស្យុងតិត្ថិភាពទាប៖ VCE(sat), typ = 1.7V @ IC = 75A និង Tj = 25°C 

● សមត្ថភាពនៃការធ្លាក់ព្រិលខ្លាំង 


3 កម្មវិធី 

●ការផ្សារដែក 

● UPS 

● Inverter បីកម្រិត


VCE Vcesat, Tj = 25 ℃ អ៊ីក Tjmax កញ្ចប់
650V 1.7V 75A  175 ℃ TO-247-3L


មុន៖ 
បន្ទាប់៖ 
  • ចុះឈ្មោះសម្រាប់ព្រឹត្តិប័ត្រព័ត៌មានរបស់យើង។
  • ត្រៀមខ្លួនសម្រាប់
    ការចុះឈ្មោះនាពេលអនាគតសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្ររបស់យើង ដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានថ្មីៗត្រង់ទៅកាន់ប្រអប់សំបុត្ររបស់អ្នក។