Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi Trenchstop 75A 650V
1 Deskripsi Menggunakan desain Trench milik DongHai dan teknologi FS yang canggih, IGBT FS 650V menawarkan kinerja superior dan switching, ketangguhan longsoran salju yang tinggi, pengoperasian paralel yang mudah
2 Fitur
● Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif
● Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 1,7V @ IC =75A dan Tj = 25°C
● Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan
3 Aplikasi
● Pengelasan
● UPS
● Inverter Tiga Tingkat
| VCE |
Vcesat,Tj=25℃ |
Ic |
Tjmax |
Kemasan |
| 650V |
1.7V |
75A |
175℃ |
TO-247-3L |