75A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC75F65M TO-247-3L

75A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

1 Maelezo Kwa kutumia muundo wa Mfereji wa umiliki wa DongHai na teknolojia ya mapema ya FS, 650V FS IGBT inatoa utendakazi wa hali ya juu na wa kubadilisha, ugumu wa hali ya juu wa banguko operesheni rahisi sambamba. 

2 Sifa 

● Teknolojia ya FS Trench, mgawo chanya wa halijoto 

● Voltage ya chini ya kueneza: VCE(ameketi), chapa = 1.7V @ IC =75A na Tj = 25°C 

● Uwezo wa banguko ulioimarishwa sana 

3 Maombi 

● Kulehemu 

● UPS 

● Kigeuzi cha ngazi tatu

VCE	Vcesat,Tj=25℃	Ic	Tjmax	Kifurushi
650V	1.7V	75A	175 ℃	HADI-247-3L