75A 650V Trenchstop maboksi ya bipolar transistor DGC75F65M to-247-3L

75A 650V Trenchstop maboksi ya lango la bipolar

Maelezo 1 Kutumia muundo wa wamiliki wa Donghai na teknolojia ya mapema ya FS, 650V FS IGBT inatoa maonyesho bora na ya kubadili, kazi ya juu ya ruggedness rahisi 

Vipengele 2 

● Teknolojia ya Trench ya FS, mgawo mzuri wa joto 

● Voltage ya kueneza chini: VCE (SAT), typ = 1.7V @ IC = 75A na TJ = 25 ° C 

● Uwezo ulioimarishwa sana wa avalanche 

Maombi 3 

● Kulehemu 

● UPS 

● Inverter ya ngazi tatu

VCE	VCESAT, TJ = 25 ℃	Ic	Tjmax	Kifurushi
650V	1.7V	75a	175 ℃	Kwa-247-3l