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MOSFET di potenza DHS110N15 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 90 A 150 V DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Specifiche del dispositivo DHS110N15 Rev.1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 1200V DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200 V 20A Specifiche del dispositivo DCC20D120G4.pdf
MOSFET N 120 V/12 mΩ/70 A DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120 V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M TO-247-3L 650 V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 Pacchetto pedaggio DSU035N14N3 PEDAGGIO 135 V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo a recupero rapido 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200 V 40A Il modello MUR4020NCT-XCB è Rev. 1.0.pdf
Transistor bipolare con gate isolato 25A 1200V G25T120D TO-247 G25T120D TO-247 1200 V 25A DHG25T120D英文技术规格书（TO-247).pdf
MOSFET di potenza TO-220C in modalità potenziamento canale N da 47 A 100 V DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Specifiche del dispositivo DHS180N10L.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 650 V 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7818 TO-220M L7818 TO-220M 18 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N da 68 A 1200 V DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100 V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 21 A 100 V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 20 A 500 V F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Specifiche del dispositivo DHSJ13N65.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 75A 650V DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650 V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200 V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 21 A 650 V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf

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