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8N50/F8N50/B8N50/D8N50
9N90/F9N90/E9N90
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 35 A 100 V da DH100P35 a-220C DH100P35 TO-220C 100 V 35A Specifiche del dispositivo DH100P35.pdf
Diodo a recupero rapido 20A 600V MUR2060CT TO-220C MUR2060CT TO-220C 600 V 20A 英文版MUR2060CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 160 A 40 V D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160A Dispositivo 110N04 Specifiche.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 400V MURF1040CT TO-220F MURF1040CT TO-220F 400 V 10A 英文版MUR1040CT技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 40A 600V MUR40FU60NCT TO-3PN MUR40FU60NCT TO-3PN 600 V 40A 英文版MUR40FU60NCT-XAM技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 20 A 650 V 20N65 TO-220C 20N65 TO-220C 650 V 20A 英文版20N65技术规格书AA9.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 16 A 650 V F16N65 F16N65 TO-220F 650 V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 60A 60V MBR6060CT TO-3PN MBR6060CT TO-3PN 60 V 60A 英文版MBR6060CT(3P,3PN,247)技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHD90N03 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 90 A 30 V DHD90N03 TO-252B 30 V 90A Dispositivo DH90N03 B17 Specifiche.pdf
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Dispositivo 80N06 Specifiche.pdf
F12N70
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 110 A 100 V D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 650 V B4N65 TO-251B B4N65 TO-251B 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
Diodo a recupero rapido 30A 600V MURF3060 TO-220-2L MURF3060
Diodo a recupero rapido 40A 600V MUR4060BCT TO-247 MUR4060BCT
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 65 A 30 V DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30 V 65A Specifiche del dispositivo DH033N03R.pdf
F10N70

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