20A 650V N-Canale Modalità di potenziamento del canale MOSFET 20N65 TO-220C

20A 650V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza

1 Descrizione

Questi VDMOSFET migliorati di Silicon N-Cannel sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Il modulo del pacchetto è TO-220F. Che accorda con lo standard ROHS. 

2 caratteristiche 

● commutazione rapida 

● Resistenza bassa (RDSON≤0,5Ω) 

● Carica a basso gate (Tipo: 65NC)

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 20pf)

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100% 

● Test al 100% ΔVDS 

3 applicazione 

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di adattatore e caricabatterie