20A 650V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 20N65 TO-220C

20A 650V N-канальный режим режима мощности Power Mosfet

1 Описание

Эти усиленные кремниевые n-канальные VDMOSFETS получают с помощью самостоятельной планарной технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Форма пакета-до 220F. Который согласуется со стандартом ROHS. 

2 функции 

● Быстрое переключение 

● Низкое сопротивление (rdson≤0,5 Ом) 

● Заряд с низким затвором (тип: 65NC)

● Низкие емкости обратного переноса (тип: 20pf)

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS 

3 Приложение 

● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. 

● Цепь переключателя питания адаптера и зарядного устройства