20 А, 650 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 20N65 TO-220C

20 А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор

1 Описание

Эти кремниевые N-канальные улучшенные VDMOSFET получены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию. Форма корпуса - TO-220F. Что соответствует стандарту RoHS. 

2 особенности 

● Быстрое переключение 

● Низкое сопротивление включения (Rdson≤0,5 Ом) 

● Низкий заряд затвора (тип: 65 нКл).

● Низкая емкость обратного переноса (тип: 20 пФ).

● 100% одноимпульсное испытание лавинной энергии. 

● 100 % ΔVDS-тест. 

3 Применение 

● Используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности. 

● Схема выключателя питания адаптера и зарядного устройства.

ВДСС	RDS(включен)(ТИП)	ИДЕНТИФИКАТОР
650В	0,37 Ом	20А