brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 400 V-1500 V N-MOS » 20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy 20N65 TO-220C

załadunek

Udostępnij:
przycisk udostępniania na Facebooku
przycisk udostępniania na Twitterze
przycisk udostępniania linii
przycisk udostępniania wechata
przycisk udostępniania na LinkedIn
przycisk udostępniania na Pintereście
przycisk udostępniania WhatsApp
udostępnij ten przycisk udostępniania

20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 20N65 TO-220C

20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy
Dostępność:
Ilość:

20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy


1 Opis

Te krzemowe, ulepszone układy VDMOSFET z kanałem N są uzyskiwane dzięki technologii samonastawnej planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawinową. Forma opakowania to TO-220F. Co jest zgodne ze standardem RoHS. 


2 funkcje 

● Szybkie przełączanie 

● Niska rezystancja włączenia (Rdson≤0,5Ω) 

● Niski poziom naładowania bramki (typ: 65nC)

● Niskie pojemności transferu zwrotnego (typ: 20pF)

● 100% test energii lawinowej przy pojedynczym impulsie 

● 100% test ΔVDS 


3 Zastosowanie 

● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki

VDSS  RDS (wł.) (TYP) ID 
650 V 0,37 Ω 20A



Poprzedni: 
Następny: 
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą