20a 650V N-canal Modo de aprimoramento Power MOSFET 20N65 TO-220C

20A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET

1 Descrição

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N de silício são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhorando o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. O formulário de embalagem é TO-220F. Que de acordo com o padrão ROHS. 

2 recursos 

● Comutação rápida 

● Baixa resistência (rdson≤0,5Ω) 

● Baixa carga do portão (tip: 65NC)

● Capacitâncias de transferência reversa baixa (Tip: 20pf)

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 

3 Aplicação 

● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de troca de energia do adaptador e carregador