20A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló sík technológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavinaenergiát. A csomag formátuma TO-220F. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤0,5Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 65 nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 20pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazás
● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre
| VDSS |
RDS (bekapcsolva) (TYP) |
ID |
| 650V |
0,37Ω |
20A |