20A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 20N65 TO-220C

20A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel Teknoloji ile elde edilir. Paket formu TO-220F'dir. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı Geçiş 

● Düşük Direnç(Rdson≤0,5Ω) 

● Düşük Geçit Yükü (Tip: 65nC)

● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tip: 20pF)

● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi 

● %100 ΔVDS Testi 

3 Uygulama 

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi

VDSS	RDS(açık)（TYP)	İD
650V	0,37Ω	20A