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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 150V DHS110N15 TO-220C DHS110N15 A-220C 150V 90A Dispositivo DHS110N15 Especificación Rev.1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 1200V SiC DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 A-247 1200V 20A Especificación del dispositivo DCC20D120G4.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolar DGC75F65M TO-247-3L de puerta aislada Trenchstop de 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L 650V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
Paquete de peaje N-MOSFET DSU035N14N3 de 135 V/3,3 mΩ/225 A DSU035N14N3 PEAJE 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Dfa0701f6cd49=Módulo de medio puente 50A 650V Módulo IGBT DGA50H65M2T 34 mm del fabricante de China - WXDH
Diodo de recuperación rápida 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT A-3PN 200V 40A 英文版MUR4020NCT-XCB技术规格书Rev. 1.0.pdf
Transistor bipolar de puerta aislada 25A 1200V G25T120D TO-247 G25T120D A-247 1200V 25A DHG25T120D英文技术规格书（TO-247).pdf
MOSFET TO-220C de poten0305b3d01=MOSFET TO-220C de potencia de modo de mejora de canal N de 47A y 100 V DHS180N10L A-220C 100V 47A Especificación del dispositivo DHS180N10L.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 12A 650V 12N65 TO-220C 12N65 A-220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7818 TO-220M L7818 A-220M 18V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7824 TO-220M L7824 A-220M 24V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 68 A y 1200 V DCC040M120A2/DCCF040M120A2
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBR20100CT TO-220M MBR20100CT A-220M 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 21 A y 100 V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04 TO-220C DH045N04 A-220C 40V 90A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
MOSFET de potencia F20N50 del modo de mejora del canal N de 20A 500V F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 A-220C 650V 13A Especificación del dispositivo DHSJ13N65.pdf
Módulo de medio puente 75A 650V módulo IGBT DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 200V MUR6020NCT Tibió autorización para establecer el Centro de Investigación de Tecnología de Ingeniería de Jiangsuía de Ingeniería de Jiangsu en 2015. En 2021, sea de Ingeniería de Jiangsu en 2015. En 2021, se le otorgó el Centro Provincial de Tecnología Empresarial de la provincia de Jiangsu. Es una empresa gacela y una empresa SRDZ en la provincia d�dd3403e118889309=Diodo de barrera Schottky de 25A 1700V SiC DCCT25D170G1 TO-247-2L MUR6020NCT A-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 21A 650V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W A-247 650V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf

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