未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET B5N65 TO-251B del poder del modo del aumento del canal N de 5A 650V B5N65 TO-251B 650V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 20 mΩ y 650 V DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 A-247 650V 92A DCC020M65G2 y DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 13A 500V 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 4A 1500V DH4N150F TO-3PF DH4N150F A-3PF 1500V 4A 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 A-247 650V 41A DCC060M65G2 y DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 5A 1200V DCD05D120G3
MOSFET F14N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 14A 650V F14N65 TO-220F 650V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
MOSFET de potencia F12N65 del modo de mejora del canal N de 12A 650V F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
MOSFET de potencia 5N50 del modo de mejora del canal N de 5A 500 V 5N50
diodo de barrera Schottky de 6A 650V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
transistor bipolar DGF30F65M2 TO-220F de la puerta aislada Trenchstop de 30A 650V DGF30F65M2 TO-220F 650V 30A _hoja de datos.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 18A 100V DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Especificación.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17A Especificación del dispositivo DHSJ17N65.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 300V MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS A-3PN 300V 60A 英文版MUR6030NCS技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky de 10A 45V MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 110A 85V DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Especificación del dispositivo DHS055N85.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com