未命名 (1) (8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Estás aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
Líneas de productos seleccionadas:

Todos los productos

de imagen de modelo Paquete V Una de la hoja de datos de detalles consulta Agregar a la canasta
Módulo IGBT del módulo de medio puente de 100a 650V DGA100H65M2T 34 mm DGA100H65M2T 34 mm 650V 100A DGA100H65M2T.PDF
600A 650V Módulo de medio puente Igbtmodule DGD600H65M2T ECONODUAL3 PAQUETE DGD600H65M2T Econodual3 650V 600A DGD600H65M2T Rev1.0.pdf
18A 650V Puerta aislada Transistor bipolar DHG20T65D TO-220F DHG20T65D A 220F 650V 18A Dispositivo DHG20T65D Especificación (TO-220F) .pdf
Modo de mejora del canal N 100a 60V MOSFET DH066N06 a 220C DH066N06 A 220c 60V 100A Dh066n06d_dataSheet_v2.0.pdf
18a 100V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET DH100P18B a 251B Dh100p18b A 251b 100V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Especificación.PDF
150A 1200V Módulo de medio puente DGB150H120L2T 62 mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150a DGB150H120L2T (1) .pdf
250A 1200V Módulo de medio puente Igbtmodule DGB250H120L2T 62 mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250a DGB250H120L2T-REV1.1.PDF
20A 500V Modo de mejora del canal MOSFET 20N50B TO-247 20n50b To-247 500V 20A Dispositivo 20N50 Especificación (1) .pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 145A 60V DH045N06D a 252B DH045N06 A 220c 60V 145a Dispositivo DH045N06 Especificación.PDF
50A 1200V PIM en un módulo IGBT de un paquete DGC50C120M2T ECONO PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.PDF
450A 1200V Módulo de medio puente Igbtmodule DGD450H120L2T ECONODUAL3 PAQUETE DGD450H120L2T Econodual3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.PDF
150A 1200V Módulo de medio puente Módulo IGBT DGA150H120M2T 34 mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150a DGA150H120M2T (1) .pdf
60A 200V Recuperación rápida Diodo MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO47S 200V 60A 英文版 MUR6020BCA 技术规格书 Rev. 1.1.pdf
14A 650V N-Canal Modo de mejora de la potencia MOSFET 14N65 a 220C 14n65 A 220c 650V 14A 英文版 14n65 技术规格书 ay3 (1) .pdf
18A 500V Modo de mejora del canal MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D A 3pn 500V 18A 英文版 18N50D 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal N40A 30V NOPER MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 A 252b 30V 40A Dhd80n03_dataSheet_v3.0.pdf
90A 40V Modo de mejora del canal MOSFET DH045N04D a 252B DH045N04D A 252b 100V 50A Dispositivo DH045N04 Especificación.PDF
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7812 a 220m L7812 A 220m 12V 8 mA 英文版 L78XX 技术规格书 .pdf
-100V/33MΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO 252B DH100P30D A 252b -100V -35a DH100P30D_DATAYATE_V1.0+.pdf
140A 40V N-canal Modo de mejora MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5X6-8L 40V 140A Dispositivo DHP035N04 Especificación.PDF

Video de productos

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regístrese para nuestro boletín
  • Prepárese para el futuro
    Regístrese para nuestro boletín para obtener actualizaciones directamente a su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com