未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted
Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

Kõik tooted

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
100A 650 V poolsilla moodul IGBT moodul DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650 V 100A DGA100H65M2T.pdf
600A 650 V poolsilla moodul IgbtModule DGD600H65M2T ECONODUAL3 pakett DGD600H65M2T Econoduaalne3 650 V 600A DGD600H65M2T Rev1.0.pdf
18a 650v isoleeritud värava bipolaarne transistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18a Seade DHG20T65D spetsifikatsioon (TO-220F) .pdf
100A 60 V N-kanaliga tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_DATASHEET_V2.0.pdf
18a 100v p-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18a Seade DH100P18 B79 spetsifikatsioon.pdf
150A 1200 V poolsilla moodul DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62mm 1200 V 150A DGB150H120L2T (1) .pdf
250A 1200 V poolsilla moodul IgbtModule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62mm 1200 V 250A DGB250H120L2T-Rev1.1.pdf
20a 500 V N-kanali parendamisrežiim MOSFET 20N50B TO-247 20n50b To-247 500 V 20a Seade 20n50 spetsifikatsioon (1) .pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Seade DH045N06 spetsifikatsioon.pdf
50A 1200 V PIM ühepakitud IGBT-moodulis DGC50C120M2T ECONO PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200 V 50A DGC50C120M2T-Rev1.0.pdf
450A 1200 V poolsilla moodul IgbtModule DGD450H120L2T ECONODUAL3 pakett DGD450H120L2T Econoduaalne3 1200 V 450a DGD450H120L2trev1.1.pdf
150A 1200 V poolsilla moodul IGBT moodul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200 V 150A DGA150H120M2T (1) .pdf
60A 200V kiire taastamise diood MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A 英文版 MUR6020BCA 技术规格书 Rev. 1.1.pdf
14A 650 V N-kanali parendamise režiim MOSFET 14N65 TO-220C 14n65 TO-220C 650 V 14a 英文版 14n65 技术规格书 AY3 (1) .pdf
18a 500 V N-kanali parendamise režiim MOSFET 18N50D kuni-3PN 18n50d To-3pn 500 V 18a 英文版 18n50d 技术规格书 .pdf
40A 30 V N-kanaliga tugevdusrežiim MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40A DHD80N03_DATASHEET_V3.0.pdf
90A 40V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Seade DH045N04 spetsifikatsioon.pdf
Kolmeterminaalne pingeregulaator IC L7812 TO-220M L7812 Kuni 220m 12 V 8mA 英文版 l78xx 技术规格书 .pdf
-100v/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100 V -35a DH100P30D_DATASHEET_V1.0+.pdf
140A 40V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 Dfn5x6-8l 40 V 140A Seade DHP035N04 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com