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8N50/F8N50/B8N50/D8N50
9N90/F9N90/E9N90
35A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P35 To-220C DH100P35 TO-220C 100 V 35A Especificação do dispositivo DH100P35.pdf
Diodo de recuperação rápida 20A 600V MUR2060CT TO-220C MUR2060CT TO-220C 600 V 20A 英文版MUR2060CT技术规格书.pdf
160A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 PARA-252B 40V 160A Especificação do dispositivo 110N04.pdf
Diodo de recuperação rápida 10A 400V MURF1040CT TO-220F MURF1040CT TO-220F 400 V 10A 英文版MUR1040CT技术规格书.pdf
Diodo de recuperação rápida 40A 600V MUR40FU60NCT TO-3PN MUR40FU60NCT TO-3PN 600 V 40A 英文版MUR40FU60NCT-XAM技术规格书.pdf
20A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 20N65 TO-220C 20N65 TO-220C 650 V 20A 英文版20N65技术规格书AA9.pdf
Potência do modo de aprimoramento de canal N MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
16A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F16N65 F16N65 TO-220F 650 V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
60A 60V SchottkyBarrierDiode MBR6060CT TO-3PN MBR6060CT TO-3PN 60 V 60A 英文版MBR6060CT(3P,3PN,247)技术规格书.pdf
90A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 PARA-252B 30V 90A Especificação do dispositivo DH90N03 B17.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 80A 60V D80N06 PARA-252B 60 V 80A Especificação do dispositivo 80N06.pdf
F12N70
110A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B4N65 TO-251B B4N65 TO-251B 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
Diodo de recuperação rápida 30A 600V MURF3060 TO-220-2L MURF3060
Diodo de recuperação rápida 40A 600V MUR4060BCT TO-247 MUR4060BCT
65A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Especificação do dispositivo DH033N03R.pdf
F10N70

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