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Diodo de recuperação rápida 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200 V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
Módulo IGBT meia ponte 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34mm 1200 V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA PARA-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
8A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65技术规格书.pdf
180A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA PARA-263 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E PARA-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+folha de dados+Rev.1.0.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 150A 1200V módulo DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200 V 150A DGA150H120L2T.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 150A 1200V módulo DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200 V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar DGD06F65M2 TO-252B da porta DGD06F65M2 PARA-252B 650 V 6A _folha de dados.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD PARA-252B 100 V 30A Especificação do dispositivo DH100P30AD.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C PARA-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
110A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E PARA-263 60V 110A Dispositivo+DH066N06+Especificação+Rev.2.0.pdf
12A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600 V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
23A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Módulo meia ponte 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62mm 1200 V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 PARA-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

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