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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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59A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Especificação do dispositivo 60N10B76(1).pdf
85A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D PARA-252B 150 V 85A Especificação do dispositivo DHS110N15D.pdf
5A 800V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
180A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80V 180A Especificação do dispositivo DH029N08.pdf
-10A -40V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V POP-8 -40V -10A Dispositivo+DH170P04V+Especificação.pdf
150A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E PARA-263 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
120A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120A Dispositivo+DH065N06+Especificação+Rev.2.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 300V MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT PARA-247 300 V 60A 英文版 MUR6030BCT 技术规格书REV.1.0.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 10A 650V DCD10D65G4 PARA-252B 650 V 10A Especificação do dispositivo DCD10D65G4.pdf
diodo de barreira DCGT08D65G4 TO-220-2L de 8A 650V SiC Schottky DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8A Especificação do dispositivo DCGT08D65G4.pdf
100A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68 V 100A Especificação do dispositivo DH3205A.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
4A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 180A 68V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
Diodo de recuperação rápida 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
170A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 PARA-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo IGBT meia ponte 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D PARA-252B 100V 50A Especificação do dispositivo DH045N04.pdf
4.8A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7815 TO-220M L7815 PARA-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

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