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MUR80FU20NCA
Wxdh
TO-3PN
200V
80a
Diodo de recuperação rápido 80A 200V
1 Descrição
80a, 200V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada em íons, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
Tensão de alta eficiência de alta eficiência,
Capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
Alta tensão
3 aplicações
Switching Power Supply
Circuits Circuitos de comutação de energia
Fonte de alimentação do inversor
Vbr | VF (Max) | Se (av) |
200V | 1.1V | 40A |
Diodo de recuperação rápido 80A 200V
1 Descrição
80a, 200V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada em íons, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
Tensão de alta eficiência de alta eficiência,
Capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
Alta tensão
3 aplicações
Switching Power Supply
Circuits Circuitos de comutação de energia
Fonte de alimentação do inversor
Vbr | VF (Max) | Se (av) |
200V | 1.1V | 40A |