Disponibilitate | |
---|---|
cantitate: | |
MUR80FU20NCA
Wxdh
La-3pn
200V
80A
80A 200V Diodă de recuperare rapidă
1 Descriere
80A, 200V diode ultrarapast, au o scădere a tensiunii reduse înainte și sunt de construcție epitaxială plană, cu nitru de siliciu, cu implantare cu ioni. Aceste dispozitive sunt destinate utilizării ca diode de direcție/prindere a energiei/de prindere într -o varietate de surse de alimentare de comutare și alte aplicații de comutare a puterii. Sarcina lor stocată scăzută și recuperarea ultrarapidă cu caracteristici de recuperare moale minimizează sunetul și zgomotul electric în multe circuite de comutare a puterii, reducând astfel pierderea de energie în tranzistorul de comutare
2 caracteristici
Pierderi reduse de energie,
Tensiune redusă cu eficiență ridicată,
Capacitate mare de curent Capacitate de creștere ridicată
Timpuri de recuperare super rapide
Tensiune înaltă
3 aplicații
Sursa de alimentare de comutare
Circuite de comutare a puterii
Sursa de alimentare a invertorului
Vbr | VF (max) | If (av) |
200V | 1.1V | 40a |
80A 200V Diodă de recuperare rapidă
1 Descriere
80A, 200V diode ultrarapast, au o scădere a tensiunii reduse înainte și sunt de construcție epitaxială plană, cu nitru de siliciu, cu implantare cu ioni. Aceste dispozitive sunt destinate utilizării ca diode de direcție/prindere a energiei/de prindere într -o varietate de surse de alimentare de comutare și alte aplicații de comutare a puterii. Sarcina lor stocată scăzută și recuperarea ultrarapidă cu caracteristici de recuperare moale minimizează sunetul și zgomotul electric în multe circuite de comutare a puterii, reducând astfel pierderea de energie în tranzistorul de comutare
2 caracteristici
Pierderi reduse de energie,
Tensiune redusă cu eficiență ridicată,
Capacitate mare de curent Capacitate de creștere ridicată
Timpuri de recuperare super rapide
Tensiune înaltă
3 aplicații
Sursa de alimentare de comutare
Circuite de comutare a puterii
Sursa de alimentare a invertorului
Vbr | VF (max) | If (av) |
200V | 1.1V | 40a |