80a 200V hurtig gendannelsesdiode
1 Beskrivelse
80A, 200V ultrahastede dioder De har et lavt fremadspændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemme dioder og ensretter i forskellige skifte strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren
2 funktioner
Lavt effekttab,
Høj effektivitet lav fremadspænding,
Høj strøm kapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtig gendannelsestider
Højspænding
3 applikationer
Skifte strømforsyning
strømafbryderkredsløb
Inverter strømforsyning
VBR |
Vf (max) |
Hvis (av) |
200v |
1.1V |
40a |