Diodabilidade: | |
---|---|
Quantidade: | |
Mur80120
Wxdh
TO-247-2L
1200V
80a
Diodo de recuperação rápido 80a 1200V
1 Descrição
80A, diodos ultra-rápidos de 1200V, eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial de nitreto de silício planares, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
tensão de alta eficiência de baixa eficiência,
alta capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
alta tensão
3 aplicações
Fonte de alimentação de comutação
Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (Max) | Se (av) |
1200V | 3.5V | 80a |
Diodo de recuperação rápido 80a 1200V
1 Descrição
80A, diodos ultra-rápidos de 1200V, eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial de nitreto de silício planares, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
tensão de alta eficiência de baixa eficiência,
alta capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
alta tensão
3 aplicações
Fonte de alimentação de comutação
Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (Max) | Se (av) |
1200V | 3.5V | 80a |