未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten
Model:
Pakket:
V:
A:
GESELECTEERDE PRODUCTLIJNEN:

Alle producten

Afbeelding Model Pakket V A Gegevensblad Details Aanvraag Voeg toe aan winkelwagen
10,6A 650V N-kanaal Super Junction Power-MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Apparaat DJF380N65T Specificatie Rev.1.0.pdf
80A 1200V Snelle hersteldiode MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120 技术规格书.pdf
75A 1200V Halve brug IGBT-module DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Apparaat+DTG050P06LA+Specificatie+Rev.1.0.pdf
80A 200V Snelle hersteldiode MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA 技规格书.pdf
180A 100V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Apparaat+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specificatie+Rev.1.0.pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+gegevensblad+Rev.1.0.pdf
150A 1200V Halve brugmodule IGBT-module DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
40A 1200V Trenchstop geïsoleerde poort bipolaire transistor G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200V 40A G40N120D - gegevensblad.pdf
12A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65 技术规格书REV1.0.pdf
150A 1200V Halve brugmodule IGBT-module DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop geïsoleerde poort bipolaire transistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
SiC Schottky-barrièrediode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Apparaat DH100P30AD Specificatie.pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50 技规格书R1.1.pdf
110A 60V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Apparaat+DH066N06+Specificatie+Rev.2.0.pdf
23A 500V N-kanaal Enhancement Mode Vermogens-MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D 技规格书.pdf
4A 600V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60 技术规格书.pdf
600A 1200V Halve brugmodule DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70 技术规格书.pdf

Productvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com