未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
80a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68v 80a Zařízení DH072N07 Specifikace.pdf
-30A -60V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30a Zařízení DH300P06 Specifikace.pdf
120a 98V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98v 120a Zařízení DHS046N10 Specifikace.pdf
500V/4A Half-Bridge IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4a DPQA04HB50MF_DATASHEET_V1.0.pdf
105a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68v 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datasheet+V2.0 .pdf
500V/5A Half-Bridge IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5a DPQA05HB50MF_DATASHEET_V1.0.pdf
60A 68V N-kanálový vylepšení režim Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07p DFN5*6-8 70V 56a Dh105n07p_datasheet_v1.0 (1) .pdf
41A 650V N-Channel Sic Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 To-247-4L 650V 41a DCC060M65G2 & DCCF060M65G2_DATASHEET_V1.0.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68v 60a Zařízení 50N06B34 Specification.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68v 60a Zařízení 50N06B34 Specification.pdf
10A 400V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10a Zařízení 740 Specifikace.pdf
8A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B8N50 TO-251 B8n50 TO-251 500V 8a
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180a Specifikace zařízení DH8004 (2) .pdf
238a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238a Zařízení DH026N06 Specifikace.pdf
75A 650V MODUL MODILU MODULU IGBT Modul DGA75H65M2T 34MM DGA75H65M2T 34 mm 650V 75a DGA75H65M2T.PDF
50A 650V MODUL MODULE IGBT MODULE DGA50H65M2T 34MM DGA50H65M2T 34 mm 650V 50a DGA50H65M2T.PDF
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85v 120a Zařízení DHS045N88 Specifikace-Rev.1.0.pdf
110a 85V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85v 110a Zařízení DHS055N85 Specifikace.pdf
-30A -100 V P-kanálové vylepšení Power MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30a Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85v 120a Zařízení DHS045N88 Specifikace-Rev.1.0.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com