未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
59A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Specifikace zařízení 60N10B76(1).pdf
85A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Specifikace zařízení DHS110N15D.pdf
5A 800V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
180A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80V 180A Specifikace zařízení DH029N08.pdf
-10A -40V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10A Zařízení+DH170P04V+Specifikace.pdf
150A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
120A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120A Zařízení+DH065N06+Specifikace+Rev.2.0.pdf
60A 300V Dioda rychlé obnovy MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT TO-247 300V 60A 英文版 MUR6030BCT 技术规格书REV.1.0.pdf
10A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Specifikace zařízení DCD10D65G4.pdf
8A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Specifikace zařízení DCGT08D65G4.pdf
100A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Specifikace zařízení DH3205A.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
4A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
Výkonový MOSFET 180A 68V N-channel Enhancement Mode DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
60A 200V Dioda rychlé obnovy MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
170A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 1700V Polomůstek IGBT modul DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Specifikace zařízení DH045N04.pdf
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Třísvorkový regulátor napětí IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com