未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
10,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Specifikace zařízení DJF380N65T Rev.1.0.pdf
80A 1200V Dioda rychlého obnovení MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
75A 1200V Polomůstek IGBT modul DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Zařízení+DTG050P06LA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
80A 200V Dioda rychlé obnovy MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
180A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Zařízení+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
150A 1200V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
40A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200V 40A G40N120D - datasheet.pdf
12A 650V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
150A 1200V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop izolovaná brána bipolární tranzistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
SiC Schottkyho bariérová dioda 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Specifikace zařízení DH100P30AD.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
110A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Zařízení+DH066N06+Specifikace+Rev.2.0.pdf
23A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
600A 1200V Modul polovičního můstku DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com