brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
80A 1200V Dioda rychlého obnovení MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
75A 1200V Polomůstek IGBT modul DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Zařízení+DTG050P06LA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
80A 200V Dioda rychlé obnovy MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
8A 650V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
180A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Zařízení+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
150A 1200V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
150A 1200V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop izolovaná brána bipolární tranzistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A _datasheet.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dioda 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Specifikace zařízení DH100P30AD.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
110A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Zařízení+DH066N06+Specifikace+Rev.2.0.pdf
12A 600V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
23A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
600A 1200V Modul polovičního můstku DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky