未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » SIC » SIC DIODA 650V-1700V » SiC Schottkyho bariérová dioda 5A 1200V DCGT05D120G3

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

SiC Schottkyho bariérová dioda 5A 1200V DCGT05D120G3

SiC Schottky Barrier Diode 5A 1200V
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidat do košíku

  • DCGT05D120G3

  • WXDH

SiC Schottkyho bariérová dioda 5A 1200V


1 Popis 

Řada produktů SiC Series nabízí nejmodernější výkon. Je určen pro vysokofrekvenční aplikace, kde je vyžadována vysoká účinnost a vysoká spolehlivost.


2 Vlastnosti

⚫ vysoké napětí 

⚫ Zero Reverse Recovery Current

⚫ Zero Forward Recovery Voltage

⚫ Kladný teplotní koeficient na VF 

⚫ 175°C Provozní teplota spoje 


3 Aplikace

⚫ Přepínání režimů napájecích zdrojů 

⚫ Korekce účiníku

⚫ Motorový pohon, FV střídač, Větrná elektrárna


VBRM QC  IF（TC≤135℃）
1200V 18,5 nC 9,5A


Předchozí: 
Další: 
SiC Schottkyho bariérová dioda 5A 1200V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com