SiC Schottky Diodë Barriere 5A 1200V DCGT05D120G3

SiC Schottky Barrier Dioda 5A 1200V

1 Përshkrimi 

Familja e produkteve të Serisë SiC ofron performancë të nivelit të lartë. Është projektuar për aplikime me frekuencë të lartë ku kërkohet efikasitet i lartë dhe besueshmëri e lartë.

2 Karakteristikat

⚫ tension të lartë 

⚫ Rryma e rikuperimit e kundërt zero

⚫ Tensioni i rikuperimit zero përpara

⚫ Koeficienti pozitiv i temperaturës në VF 

⚫ Temperatura operative e kryqëzimit 175°C 

3 Aplikacionet

⚫ Furnizimet me energji të modalitetit të ndërrimit 

⚫ Korrigjimi i faktorit të fuqisë

⚫ Motorri, inverter PV, Stacioni i Energjisë së Erës

VBRM	QC	IF (TC≤135℃)
1200 V	18,5 nC	9.5A