SiC Schottky Barrier Diode 5A 1200V DCGT05D120G3

SiC Schottky Barrier Diode 5A 1200V

1 Նկարագրություն 

SiC Series ապրանքատեսակների ընտանիքն առաջարկում է ժամանակակից ներկայացում: Այն նախատեսված է բարձր հաճախականության ծրագրերի համար, որտեղ պահանջվում է բարձր արդյունավետություն և բարձր հուսալիություն:

2 Հատկանիշներ

⚫ բարձր լարման 

⚫ Զրո հակադարձ վերականգնման հոսանք

⚫ Զրոյական առաջ վերականգնման լարում

⚫ Դրական ջերմաստիճանի գործակից VF-ի վրա 

⚫ 175°C Գործող հանգույցի ջերմաստիճան 

3 Դիմումներ

⚫ Միացման ռեժիմի սնուցման աղբյուրներ 

⚫ Հզորության գործոնի շտկում

⚫ Շարժիչային շարժիչ, ՖՎ ինվերտոր, հողմային էլեկտրակայան

VBRM	QC	IF (TC≤135℃)
1200 Վ	18,5 nC	9.5 Ա