brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
59A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia 60N10B76(1).pdf
85A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Špecifikácia zariadenia DHS110N15D.pdf
5A 800V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
180A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Zariadenie DH029N08 Špecifikácia.pdf
-10A -40V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Zariadenie+DH170P04V+Špecifikácia.pdf
150A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
120A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60 V 120A Zariadenie+DH065N06+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
60A 300V Dióda rýchlej obnovy MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT TO-247 300 V 60A 英文版 MUR6030BCT 技术规格书REV.1.0.pdf
10A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCD10D65G4 TO-252B 650 V 10A Špecifikácia zariadenia DCD10D65G4.pdf
8A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8A Špecifikácia zariadenia DCGT08D65G4.pdf
100A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Špecifikácia zariadenia DH3205A.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
4A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
180A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
60A 200V Dióda rýchlej obnovy MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
170A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 1700V Polovičný mostík IGBT modul DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700 V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
4,8A 650V N-kanálový super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Trojpólový regulátor napätia IC L7815 TO-220M L7815 TO-220 mil 15V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty