brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
80A 1200V Dióda rýchlej obnovy MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
75A 1200V Polovičný mostík IGBT modul DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60 V -140A Zariadenie+DTG050P06LA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
80A 200V Dióda rýchlej obnovy MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
8A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65技术规格书.pdf
180A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Zariadenie+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
150A 1200V Modul polovičného mostíka IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA1579c5184d=● Vysokoúčinné napájacie zdroje s prepínaným režimom. 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
150A 1200V Modul polovičného mostíka IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop izolovaná brána bipolárny tranzistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650 V 6A _datasheet.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dióda 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Špecifikácia zariadenia DH100P30AD.pdf
 N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
110A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Zariadenie+DH066N06+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
12A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600 V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
23A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
600A 1200V Modul polovičného mostíka DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty