未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

Tutti i prodotti

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 59 A 100 V 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Specifiche del dispositivo 60N10B76(1).pdf
MOSFET di potenza DHS110N15D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 85 A 150 V DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Specifiche del dispositivo DHS110N15D.pdf
MOSFET di potenza F5N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 5 A 800 V F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 80 V DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Dispositivo DH029N08 Specifiche.pdf
-10A -40V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Dispositivo+DH170P04V+Specifica.pdf
MOSFET di potenza DHS042N15E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 150 A 150 V DHS042N15E TO-263 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 120 A 60 V DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60 V 120A Dispositivo+DH065N06+Specifiche+Rev.2.0.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT TO-247 300 V 60A 英文版 MUR6030BCT 技术规格书REV.1.0.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC da 10 A 650 V DCD10D65G4 TO-252B 650 V 10A Specifiche del dispositivo DCD10D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 8A 650V DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8A Specifiche del dispositivo DCGT08D65G4.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 68 V DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Specifiche del dispositivo DH3205A.pdf
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
MOSFET di potenza F4N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4 A 600 V F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 68 V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
Diodo a recupero rapido 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A Il modello MUR6020BCA è Rev. 1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 170 A 100 V DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700 V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 4,8 A 650 V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com