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MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Diodo barriera Schottky 20A 45V BASSO VF MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45 V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 20A 60V BASSO VF HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 TO-252B 60 V 20A 英文版HMBRD20R60技术规格书TO-252B-REV-1.1.pdf
MOSFET di potenza F8N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V F8N50 TO-220F 500 V 8A Donghai_F8N50_Datesheet_V1.0.pdf
2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 81A 30V DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30 V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Scheda tecnica_ V1.0(1).pdf
Diodo a barriera Schottky 30A 100V TO-220M MBR30100CT TO-220M 100 V 30A 英文版MBR30100CT技术规格书REV1.0.pdf
-100 V/33 mΩ/-35 A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100 V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
13N90
Diodo barriera Schottky da 20 A 45 V MBR2045CT TO-220C MBR2045CT TO-220C 45 V 20A 英文版MBR2045CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650 V 5A 英文版D5N65-XAD技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky da 20 A 200 V MBR20200CT TO-220M MBR20200CT TO-220M 200 V 20A 英文版MBR20200CT技术规格书REV1.1.pdf
DGC60F65M
Diodo barriera Schottky 30A 60V MBR3060CT TO-220M MBR3060CT TO-220M 60 V 30A 英文版MBR3060CT技术规格书REV1.1(1).pdf
6N90/F6N90
Modalità di potenziamento a canale N MOSFET di potenza 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500 V 8A 英文版D8N50技术规格书REV1.1.pdf
20N90D/20N90B
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 25 A 650 V DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650 V 25A Specifiche del dispositivo DHSJ25N65F.pdf
Diodo barriera Schottky da 10 A 200 V MBRF10R200CT TO-220F 200 V 10A 英文版MBRF10R200CT技术规格书.pdf
7N80/F7N80/E7N80

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