未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

Tutti i prodotti

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 10,6 A 650 V DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650 V 10,6A Specifiche del dispositivo DJF380N65T Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200 V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200 V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 100 V DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+scheda tecnica+Rev.1.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200 V 150A DGA150H120L2T.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 40A 1200V G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200 V 40A G40N120D - scheda tecnica.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 650 V F12N65 F12N65 TO-220F 650 V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200 V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650 V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Modalità di potenziamento canale P MOSFET di potenza 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specifiche del dispositivo DH100P30AD.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 110 A 60 V DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Dispositivo+DH066N06+Specifica+Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 23 A 500 V 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 600 V B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Modulo mezzo ponte 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200 V 600A DGB600H120L2T.pdf
MOSFET di potenza D7N70 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 700 V D7N70 TO-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com