MOSFET di potenza F8N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS. TO-220F fornisce una tensione di isolamento nominale di 2000 V RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL (rif. file: E252906). 

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida 

● Funzionalità ESD migliorata 

● Bassa resistenza (Rdson≤0,9Ω) 

● Carica gate bassa (tip.: 24nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 7pF)

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

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● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.

● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
500 V	0,72Ω	8A