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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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8A 500V N-Canale Modalità di potenziamento del canale Mosfet F8N50 TO-220F

8A 500 V Modalità di miglioramento N-Canale Modalità Mosfet
Disponibilità:
quantità:

8A 500 V MODIEMENTO N-Canale N-Canale Mosfet di potenza


1 Descrizione

Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS. TO-220F fornisce una tensione di isolamento classificata a 2000 V RM da tutti e tre i terminali a dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL (FILE RIF: E252906). 


2 caratteristiche

● commutazione rapida 

● ESD Capacità migliorata 

● Resistenza bassa (RDSON≤0,9Ω) 

● CAGGIO DI GATE basso (tip: 24NC) 

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 7pf)

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100% 

● Test al 100% ΔVDS 


3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico


VDSS  RDS (ON) (Tip) ID 
500v 0,72Ω 8a



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