8A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 500 V Power MOSFET F8N50 TO-220F

8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. Το TO-220F παρέχει ονομαστική τάση μόνωσης στα 2000V RMS και από τους τρεις ακροδέκτες προς την εξωτερική ψύκτρα. Η σειρά TO-220F συμμορφώνεται με τα πρότυπα UL (Αναφ. αρχείου: E252906). 

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Βελτιωμένη ικανότητα ESD 

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤0,9Ω) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 24nC) 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 7pF)

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση.

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας έρματος ηλεκτρονίων και προσαρμογέα

VDSS	RDS(ενεργό) (TYP)	ταυτότητα
500V	0,72Ω	8Α