MOSFET de puissance F8N50 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 8A 500V

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 8 A 500 V

1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui est conforme à la norme RoHS. Le TO-220F fournit une tension d'isolation nominale de 2 000 V RMS entre les trois bornes et le dissipateur thermique externe. La série TO-220F est conforme aux normes UL (réf. fichier : E252906). 

2 Caractéristiques

● Commutation rapide 

● Capacité améliorée ESD 

● Faible résistance (Rdson≤0,9Ω) 

● Faible charge de grille (type : 24 nC) 

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 7 pF)

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

3 candidatures

● Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité supérieure.

● Circuit de commutation d'alimentation du ballast électronique et de l'adaptateur

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
500V	0,72Ω	8A